品牌简介：Advanced Semiconductor,Inc.(ASI)生产射频功率晶体管和微波二极管。他们是一家通过ISO 9001注册的公司，专门制造用于更换目的和新设计的过时且难以找到的组件。他们的射频功率晶体管产品线主要替代摩托罗拉、飞利浦和SGS Thomson的产品。他们的微波二极管系列主要替代来自HP、M/A-COM、Alpha和Loral/Frequency源的那些。经过二十多年的发展，ASI以其提供的优质的产品、快速的服务和交货，在全球商用和军用通信领域占据了领先地位。美国ASI SEMICONDUCTOR主要产品包括：ASI射频功率晶体管、托盘、模块、微波二极管等。深圳市华联欧国际贸易有限公司现货供应美国ASI SEMICONDUCTOR模块射频功率晶体管等全系列产品，特价采购，保质保量，价格优惠!ASI SEMICONDUCTOR产品一站式采购，型号齐全，一件起订，欢迎选购!

一、美国ASI SEMICONDUCTOR公司简介
ASI Semiconductor,Inc.(ASI)设计、供应和销售最先进的高功率脉冲射频晶体管和托盘。他们自豪地为数十个国家的数千名客户提供服务，特别专注于航空电子设备、雷达、医疗和工业应用的脉冲射频商业应用。他们正在引入VIMOS技术以满足这个独特市场的需求和要求。他们支持该行业已有30多年，其中包括多个政府和财富500强客户。ASI成立于1979年，并通过了ISO 9001认证。他们的总部位于美国加利福尼亚州北好莱坞。

Advanced Semiconductor,Inc.(ASI)生产射频功率晶体管和微波二极管。他们是一家通过ISO 9001注册的公司，专门制造用于更换目的和新设计的过时且难以找到的组件。他们的射频功率晶体管系列主要取代了摩托罗拉、飞利浦和SGS Thomson的产品。他们的微波二极管系列主要取代来自HP、M/A-COM、Alpha和Loral/Frequency源的产品。Advanced Semiconductor对客户服务有着根本性的承诺，并将始终尽最大努力确保满足您的需求。

二、美国ASI SEMICONDUCTOR部分产品介绍
1、美国ASI SEMICONDUCTOR VIMOS功率晶体管
①ASI Semiconductor,Inc.提供一系列RF功率晶体管，可替代M/A-COM、Microsemi、Motorola、Philips/NXP、SGS Thomson/ST Micro和Infineon的产品。ASI早就认识到，他们的客户不想被迫购买昂贵的上次购买或面临重要组件过时的问题-这就是他们继续提供一系列替换射频功率晶体管的原因，如下所述。
②ASI提供双极射频功率晶体管、增强型FET射频功率晶体管和LDMOS FET射频功率晶体管，覆盖1.0 MHz至4.2 GHz频谱，输出功率高达600瓦。射频功率晶体管有多种密封和非密封封装，包括平衡配置。他们的许多射频功率晶体管设计都具有内部阻抗匹配网络，以提高性能。
③要查找所需的ASI射频功率晶体管，请单击下方相应的应用链接，或从左侧的晶体管零件编号索引中按前缀选择替换晶体管系列。要快速搜索，请在零件查找器搜索框中输入零件编号或零件编号前缀。

2、美国ASI SEMICONDUCTOR脉冲放大器设计的高功率射频晶体管
①维莫斯TM值是一种基于数十年半导体工程的硅技术。GaN还处于起步阶段。这些设备在坚固性方面很脆弱，需要额外的电源复杂性，并且成本过高。
②维莫斯TM值技术专为脉冲、高功率射频放大器而设计。另一方面，LDMOS是为无线基站设计的，后来才用于这些类型的应用。VIMOS器件使用与其对应的LDMOS相同的封装，从而创建更坚固的放大器并减少对单一源LDMOS的依赖性、暴露和风险。
③维莫斯TM值可以提高放大器的稳健性，减少现场故障，显着减小产品的尺寸和重量并提高性能，所有这些都以具有竞争力的成本进行。

3、美国ASI SEMICONDUCTOR射频脉冲功率晶体管
ASI的射频脉冲功率晶体管产品组合经过全新设计，可满足高功率脉冲系统的特定需求。寻求TCAS射频晶体管、IFF射频晶体管、SSR射频晶体管和S模式射频晶体管的射频设计工程师会发现该产品组合非常适合他们的独特应用。这些产品是最先进的，结合了极端坚固性、高射频增益和非常高的射频输出功率水平。凭借高达21dB的RF增益和高达800瓦48伏的RF输出功率水平，单个VIMOS器件可以替代多个竞争性RF晶体管，从而减少重量、尺寸、成本和设计时间。这些产品可以在24伏至50伏的电源电压下运行。

4、美国ASI SEMICONDUCTOR雷达询问器
①相对于其他高功率RF应用，雷达脉冲RF应用具有独特的设计、性能和可靠性挑战。模式S-ELM射频晶体管（也称为模式S-EL/M或模式选择ELM）系统在1030-1090MHz频段运行，32μs开启/18μs关闭x48，每24毫秒脉冲条件重复一次。
②除了分立式射频晶体管之外，ASI还提供50欧姆托盘放大器产品，这些产品的设计成本结构允许OEM供应商将托盘整合到他们的系统中。
③P1000-1215提供950瓦的功率，整个频段的增益为15dB。ASI的托盘放大器产品提供现成的、快速上市的高性能解决方案，具有VIMOS性能和可靠性的优势，并且具有成本竞争力。

5、美国ASI SEMICONDUCTOR远程雷达射频晶体管
寻求远程雷达射频晶体管、远程超视距射频晶体管或全天候雷达射频晶体管的射频设计工程师会发现，ASI 420-470MHz脉冲射频功率晶体管产品组合非常适合他们的独特应用。这种应用的苛刻要求需要非常高的射频输出功率水平、极端的耐用性和高射频增益。此外，由于在现场更换设备的费用很高，因此需要高度可靠的RF晶体管。射频增益高达25dB，射频输出功率水平高达1100瓦，单个VIMOSTM值器件可以替代多个相互竞争的射频晶体管，从而减少重量、尺寸、成本和设计时间。

三、美国ASI SEMICONDUCTOR主要产品和型号
1、美国ASI SEMICONDUCTOR主要产品
①美国ASI SEMICONDUCTOR远程雷达射频晶体管
②美国ASI SEMICONDUCTOR微波二极管
③美国ASI SEMICONDUCTOR托盘
④美国ASI SEMICONDUCTOR模块
⑤美国ASI SEMICONDUCTOR射频功率晶体管

2、美国ASI SEMICONDUCTOR产品型号
①美国ASI SEMICONDUCTOR ASI微波二极管
②美国ASI SEMICONDUCTOR 420-470MHz、UHF频段、天气和远程雷达应用
③美国ASI SEMICONDUCTOR 1030-1090MHz，模式S-ELM询问器应用
④美国ASI SEMICONDUCTOR 1030-1090MHz、TCAS、IFF SSR和Mode-S应用
⑤美国ASI SEMICONDUCTOR HVV0912-800
⑥美国ASI SEMICONDUCTOR HVV1011-500L
⑦美国ASI SEMICONDUCTOR HVV1214-140

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