Amptek将硅片制造引入内部，并改进了工艺。其结果是探测器具有更低的噪声、更低的泄漏电流、更好的电荷收集以及探测器之间的均匀性。这使其成为性能更好的硅漂移探测器。

FAST SDD代表Amptek高性能的硅漂移检测器（SDD），能够在保持分辨率的同时，计数率超过1000000 CPS（每秒计数）。FAST SDD还可与C系列（Si3N4）低能窗一起使用，用于软x射线分析。

与传统SDD不同，FAST SDD在密封的TO-8封装内使用结栅场效应晶体管（JFET）和外部前置放大器，在TO-8封装内部使用互补的金属氧化物半导体（CMOS）前置放大器，并用金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）代替JFET。这降低了电容，提供了更低的串联噪声，并在极短的峰值时间内提高了分辨率。FAST SDD使用相同的检测器，但前置放大器在短峰值时间内提供较低的噪声。改进的（较低的）分辨率能够隔离/分离具有接近能量值的荧光X射线，否则峰值将重叠，从而允许用户更好地识别其样品中的所有元素。峰值时间短也会提高计数率；更多的计数提供更好的统计数据。

• 25 mm²的活动面积校准为17 mm²
• 也可提供70 mm²准直至50 mm²
• 9 keV时的122 eV FWHM分辨率
• 计数率>1000000 CPS
• 高峰值与背景比–26000/1
• 前置放大器输出上升时间<35 ns
• 窗口：Be（5密耳）12.5µm，或C系列（Si3N4）
• 抗辐射
• 探测器厚度500µm
• TO-8包装
• 冷却ΔT>85 K
• 多层准直器

检测器类型：带CMOS前置放大器的硅漂移检测器（SDD）

探测器尺寸：25 mm^2-校准至17 mm²

也可提供70mm²-准直至50mm²

硅厚度：500µm或1000um可用

准直器内部：多层准直器（ML）

4µs峰值时间下5.9 keV（⁵⁵Fe）：122-129 eV FWHM时的能量分辨率（保证）

峰值与背景：20000:1（计数比从5.9 keV到1 keV）（典型）

探测器窗口选项：铍（Be）：0.5密耳（12.5µm）或0.3密耳（8µm）

C系列（Si3N4）低能耗窗户

电荷敏感型前置放大器：CMOS

增益稳定性：<20 ppm/°C（典型）

探测器模块：TO-8封装（0.640英寸高，包括销，0.600英寸直径）

XR100盒3.00 x 1.75 x 1.13英寸（7.6 x 4.4 x 2.9厘米）

X-123箱3.94 x 2.67 x 1.0英寸（10.0 x 6.78 x 2.54厘米）

原始设备制造商：配置各不相同

重量

探测器模块：0.14箱（4.1克）

XR100盒：4.4盎司（125克）

X-123箱：6.3盎司（180克）

原始设备制造商：配置各不相同

总功率：<2瓦

设备寿命：通常为5至10年，具体取决于使用情况

操作条件：-35°C至+80°C

在干燥环境中长期储存10年以上

典型储存和运输：-40°C至+85°C，湿度10至90%，不凝结