高压片式电阻器HVC系列结合了专有的细线厚膜技术和设计，实现了SMD片式电阻器的高电压额定值和稳定性的新水平。与传统厚膜芯片电阻器相比，Nicrom的技术具有更长、高纵横比的低电阻率薄膜迹线。
性能特点与标准芯片电阻器相比，Nicrom的HVC系列提供了无与伦比的性能和设计效率，从而降低了电压系数和温度系数、降低了噪声、更严格的公差、更高的稳定性、更高电阻值和更高的电压额定值。提供可接线键合的金端子和定制配置。
技术参数电阻值：所有型号从1K到高达100G（根据要求为1T）
公差：0.05%、0.1%、0.25%、0.5%、1%、2%、5%、10%、20%（0.05%适用于10G，0.25%适用于100G）
温度系数：5、10、15、25、50和100 ppm/ C（10G可用10 ppm/ C，100G可用25 ppm/ ）
工作温度：-55 +200 C（可将温度范围扩展至350 C）
绝缘电阻： 10 000 M 500 V 25 C 75%相对湿度
介电强度： 1'000伏25 C 75%相对湿度
热冲击：R/R 0.1%典型值，max.0.50%MIL Std. 202，method 107 Cond. C IEC 68 - 2 -14
过载：R/R 0.1%典型值，0.50%max.1,5 x Pnom，5秒（不超过MAX电压）
防潮性：R/R 0.1%典型值，max.0.50%MIL标准202，方法106 IEC 68-2-3
负载寿命：R/R 0.1%典型值，额定功率下max.0.50%1000小时IEC 115-1
封装：丝网印刷硅胶
核心材料
Al2O3（96%）
焊盘材料：银（PdAg）/可粘结金/镀锡电阻材料氧化钌
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